Es gibt viele Methoden zur Herstellung amorpher Siliziumdünnschichten Solarplatten . Dazu gehören reaktives Sputtern, PECVD, LPCVD usw. Das Reaktantgas ist mit H2 verdünntes SiH4. Bei den Substraten handelt es sich hauptsächlich um Glas- und Edelstahlbleche, und die daraus hergestellten unedlen Siliziumfilme können durch unterschiedliche Zellprozesse zur Herstellung von Single-Junction-Zellen bzw. Tandem-Solarzellen verwendet werden.

Solarzellen aus amorphem Silizium haben aufgrund ihrer hohen Umwandlungseffizienz, geringen Kosten und ihres geringen Gewichts ein großes Potenzial. Gleichzeitig wirkt es sich jedoch aufgrund seiner geringen Stabilität direkt auf die praktische Anwendung aus. Wenn es das Stabilitätsproblem weiter lösen und die Conversion-Rate verbessern kann. Dann sind Solarzellen aus amorphem Silizium zweifellos eines der wichtigsten Entwicklungsprodukte von Solarzellen.

Mehrstoff-Dünnschichtsolarzellen Um einen Ersatz für monokristalline Siliziumzellen zu finden, wurden neben polykristallinem Silizium und amorphen Silizium-Dünnschichtsolarzellen auch Solarzellen aus anderen Materialien entwickelt. Hierzu zählen vor allem Galliumarsenid-III-V-Verbindungen, Cadmiumsulfid, Cadmiumtellurid und Kupfer-Indiumselenid-Dünnschichtbatterien. Unter den oben genannten Batterien ist der Wirkungsgrad von polykristallinen Cadmiumtellurid- und Cadmiumsulfid-Dünnschichtbatterien zwar höher als der von amorphen Silizium-Dünnschichtsolarzellen, die Kosten sind jedoch niedriger als die von Einprodukt-Siliziumbatterien und dies ist einfach Massenproduktion, aber da Cadmium hochgiftig ist, verursacht es eine ernsthafte Umweltverschmutzung und ist daher nicht der idealste Ersatz für kristalline Silizium-Solarzellen. Galliumarsenid-III-V-Verbindungen und Kupfer-Indiumselenid-Dünnschichtbatterien haben aufgrund ihrer hohen Umwandlungseffizienz große Aufmerksamkeit erregt.