Bis jetzt, monokristalline Silizium-Solarmodule haben sich sowohl in der Forschung als auch in der Industrialisierung rasant entwickelt.

Unter den vielen Faktoren, die C-Si-Zellen beeinflussen, führt die Verbesserung der Qualität von Siliziumwafern dazu, dass die Massenrekombination immer kleiner wird, und die Entwicklung neuer Passivierungsschichten und deren Herstellungstechnologie reduzieren die Oberflächenrekombination erheblich. Unter diesen wird die Rekombination der Metallelektrode und des C-Si-Kontakts zum Schlüsselfaktor für die Zelleffizienz und gilt als letzter begrenzender Faktor nahe der theoretischen Grenzeffizienz. Um die Rekombination an der Kontaktstelle zwischen Metall und C-Si zu reduzieren, wird einerseits die direkte Kontaktfläche zwischen Metall und C-Si durch teilweises Öffnen von Löchern auf der Rückseite der Zelle (einschließlich PERC, PERL, und PERT usw.). Obwohl die Umwandlungseffizienz bei oder nahe bei 25 % liegt, besteht in diesen Zellen immer noch ein direkter Kontakt zwischen Metall und C-Si, der Öffnungsprozess auf der Rückseite ist kompliziert und führt zu Schäden am Siliziummaterial an der Öffnung.

Darüber hinaus führt die lokale Öffnungstechnik dazu, dass die Träger nicht nur vom Migrationspfad senkrecht zur Kontaktfläche abweichen, sondern auch an der Öffnung gedrängt werden können, was zum Verlust des Füllfaktors führt. Andererseits müssen neuartige Kontaktschemata entwickelt werden, die sowohl eine hervorragende Oberflächenpassivierung als auch die Trennung und den Transport von Ladungsträgern ohne die Notwendigkeit von Öffnungen, d. h. trägerselektiven Passivierungskontakten, erreichen können. Diese Lösung kann die Passivierung der gesamten Oberfläche des Siliziumwafers (einschließlich des Kontaktbereichs und des Nichtkontaktbereichs) realisieren, und zu diesem Zeitpunkt werden die Träger eindimensional zwischen den Elektroden an beiden Enden transportiert, was von Vorteil ist Erzielen Sie einen höheren Füllfaktor und verbessern Sie dann die Umwandlungseffizienz.